磁性随机存储器件的形成方法和磁性随机存储器件

本发明涉及磁性随机存取存储器件的技术领域，特别涉及一种磁性随机存取存储器件的形成方法和磁性随机存取存储器件。所述磁性随机存取存储器件的形成方法包括以下步骤：形成存储器件阵列层，包括：形成拓扑层;在拓扑层的表面依次形成全范德层间关系磁隧道结和第三电极层;所述磁隧道结包括所述拓扑层表面的至少第一磁性层和远离所述拓扑层的第二磁性层;蚀刻拓扑层表面的结构，形成纳米柱形状;在拓扑层的两端形成第一电极和第二电极;其中，所述拓扑层和所述磁隧道结中各层的材料均为二维材料。本发明提供的成型方法可以稳定地形成全范德华异质结结构，具有较强的性能参数精确调控能力，热稳定性高，使用寿命长，可广泛应用于低功耗、高性能的芯片集成。