一种应力记忆高分子材料及智能压力装置

Jinlian Hu (Inventor), KUMAR Bipin (Dr.) (Inventor), Jianping Han (Inventor), Yong Zhu (Inventor), Y. Wu (Inventor), Harish Kumar (Inventor)

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Abstract

本发明公开了一种应力记忆高分子材料,具有不同的相筹及两个以上转变温度,其制备过程包括预处理(移除塑性应变)和应力记忆编程,所述应力记忆编程包括以下步骤:i.加热所述应力记忆高分子材料至T1;ii.拉伸所述应力记忆高分子材料至εI.S;iii.在εI.S应变下保持一段时间;iv.在εI.S应变下冷却至T2。本发明还公开了一种使用该应力记忆高分子材料的智能压力装置。与现有技术相比较,由于本发明提供的应力记忆高分子材料在εhigh的应变下进行了去除塑性应变的预处理及在小于εhigh的εI.S应变下进行了应力记忆编程,在ε<εI.S的应变条件下,应力记忆高分子材料比其他用于压力致动器的形状记忆高分子材料将有更长的使用寿命。
Original languageChinese (Simplified)
Patent numberZL201510037396.1
IPCC08G18/76 ;C08G18/66 ;C08G18/42 ;C08G18/32 ;C08J5/18 ;D01F6/70 ;C08G18/48 ;D03D15/00 ;A61F13/08 ;A61F7/08 ;A61F9/00 ;C08G101/00 ;
Priority date23/01/15
Filing date23/01/15
Publication statusPublished - 30 Jun 2021

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