一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法

本发明公开了一种基于外尔半导体的拓扑相变晶体管及制备方法，晶体管包括：外尔半导体层；源极，设置于所述外尔半导体层；漏极，设置于所述外尔半导体层，与所述源极间隔设置；栅极，与所述外尔半导体层连接；其中，在所述栅极的静电调控下所述外尔半导体层拓扑相变，以使所述基于外尔半导体的拓扑相变晶体管呈开态或关态。本发明利用外尔半导体的贝利曲率和对应的陈数可调特性，实现了陈数为0的传统半导体和陈数为1的拓扑半金属间的拓扑相变。实现具低功耗和高性能的场效应晶体管。通过静电调控，实现了108开关比和39毫西门子每微米的开态电导。