一种基于二维碲烯的场效应晶体管及其制备方法

本发明公开一种基于二维碲烯的场效应晶体管及其制备方法。所述基于二维碲烯的场效应晶体管包括：介电层、位于所述介电层上的二维碲烯层、位于所述二维碲烯层两端的铂层、位于两端铂层上的金层。本发明通过使用高功函的金属铂作为二维碲烯的接触金属，减小场效应晶体管的接触电阻，提高器件的性能。这是因为金属铂有着5.65eV的高功函，远远大于二维碲烯的价带顶(4.35eV左右)，能够在两者界面形成较小的肖特基势垒，促进二维碲烯中的空穴输运，从而减小器件的接触电阻，提高器件的P型性能。