一种二维硒化铟晶体材料的制备方法

本發明涉及二維材料製備領域，具體涉及一種二維硒化銦晶體材料的製備方法。方法以短距離化學氣相沉積合成厘米級二維硒化銦晶體材料，以In 2 O 3和單質硒為靶材，得到β相二維硒化銦晶體材料；以In 2 O 3和InSe單質為靶材，得到β'相二維硒，晶體化銦晶體材料；以β'相增烷基體化物相增硒，相矽硒晶體基化物。本發明所提供的方法可實現大面積、高晶相純度的β、β'和α相二維硒化銦晶體材料的合成。實驗表明，該方法成功合成了厘米級純β、β'和α相二維硒化銦晶體材料，利用該材料製備的場效電晶體具有高性能，作為記憶儲存元件有潛力。